Fast Switch Thyristor (dòng YC tiêu chuẩn cao)

Sự miêu tả

Tiêu chuẩn sản xuất và công nghệ xử lý của GE đã được giới thiệu và sử dụng bởi RUNAU Electronics từ những năm 1980.Điều kiện sản xuất và thử nghiệm hoàn chỉnh hoàn toàn phù hợp với yêu cầu của thị trường Hoa Kỳ.Là công ty tiên phong sản xuất thyristor ở Trung Quốc, RUNAU Electronics đã cung cấp nghệ thuật thiết bị điện tử công suất nhà nước cho Hoa Kỳ, các nước Châu Âu và người dùng toàn cầu.Nó có chất lượng cao và được khách hàng đánh giá cao, đồng thời tạo ra nhiều chiến thắng và giá trị lớn hơn cho các đối tác.

Giới thiệu:

1. Chíp

Chip thyristor do RUNAU Electronics sản xuất được sử dụng công nghệ hợp kim thiêu kết.Tấm wafer silicon và molypden được thiêu kết để tạo hợp kim bằng nhôm nguyên chất (99,999%) trong môi trường nhiệt độ cao và chân không cao.Việc quản lý các đặc tính thiêu kết là yếu tố chính ảnh hưởng đến chất lượng của thyristor.Bí quyết của RUNAU Electronics ngoài việc quản lý độ sâu mối nối hợp kim, độ phẳng bề mặt, khoang hợp kim cũng như kỹ năng khuếch tán đầy đủ, mô hình vòng tròn, cấu trúc cổng đặc biệt.Ngoài ra, quá trình xử lý đặc biệt cũng được sử dụng để giảm tuổi thọ sóng mang của thiết bị, do đó tốc độ tái hợp sóng mang bên trong được tăng tốc đáng kể, điện tích phục hồi ngược của thiết bị giảm và do đó, tốc độ chuyển đổi được cải thiện.Các phép đo như vậy được áp dụng để tối ưu hóa các đặc tính chuyển mạch nhanh, đặc tính trạng thái bật và đặc tính dòng điện đột biến.Hiệu suất và hoạt động dẫn điện của thyristor là đáng tin cậy và hiệu quả.

2. Đóng gói

Bằng cách kiểm soát chặt chẽ độ phẳng và tính song song của wafer molypden và gói bên ngoài, chip và wafer molypden sẽ được tích hợp chặt chẽ và hoàn toàn với gói bên ngoài.Như vậy sẽ tối ưu hóa khả năng chống dòng điện đột biến và dòng điện ngắn mạch cao.Và phép đo của công nghệ bay hơi điện tử đã được sử dụng để tạo ra một màng nhôm dày trên bề mặt wafer silicon và lớp rutheni được mạ trên bề mặt molypden sẽ tăng cường đáng kể khả năng chống mỏi nhiệt, thời gian làm việc của thyristor chuyển mạch nhanh sẽ tăng lên đáng kể.

Thông số kỹ thuật

1. Thyristor chuyển mạch nhanh với chip loại hợp kim do RUNAU Electronics sản xuất có khả năng cung cấp các sản phẩm đầy đủ chất lượng theo tiêu chuẩn Hoa Kỳ.
2. I_GT, V_GTvà tôi_Hlà các giá trị thử nghiệm ở 25℃, trừ khi có quy định khác, tất cả các tham số khác là các giá trị thử nghiệm theo T_jm;
3. I²t=tôi²F SM×tw/2, tw= Độ rộng cơ sở dòng điện nửa sóng hình sin.Ở tần số 50Hz, tôi²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Ở tần số 60Hz: tôi_FSM(8,3ms)=Tôi_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;TÔI²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Tham số: