chip thyristor
chip thyristor
Chip thyristor do RUNAU Electronics sản xuất ban đầu được giới thiệu bởi tiêu chuẩn và công nghệ xử lý của GE, tuân thủ tiêu chuẩn ứng dụng của Hoa Kỳ và được khách hàng trên toàn thế giới đánh giá cao.Nó nổi bật với các đặc tính chống mỏi nhiệt mạnh, tuổi thọ cao, điện áp cao, dòng điện lớn, khả năng thích ứng với môi trường mạnh, v.v. Năm 2010, RUNAU Electronics đã phát triển mẫu chip thyristor mới kết hợp lợi thế truyền thống của GE và công nghệ châu Âu, hiệu suất và hiệu quả đã được tối ưu hóa rất nhiều.
Tham số:
| Đường kính mm | độ dày mm | Vôn V | Cổng Địa. mm | Cathode Bên Trong Dia. mm | Cực âm ra Dia. mm | tjm ℃ |
| 25.4 | 1,5 ± 0,1 | ≤2000 | 2,5 | 5.6 | 20.3 | 125 |
| 25.4 | 1,6-1,8 | 2200-3500 | 2.6 | 5.6 | 15,9 | 125 |
| 29,72 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7,7 | 24,5 | 125 |
| 32 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7,7 | 26.1 | 125 |
| 35 | 2±0,1 | ≤2000 | 3,8 | 7.6 | 29.1 | 125 |
| 35 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3,8 | 7.6 | 24,9 | 125 |
| 38.1 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7,7 | 32,8 | 125 |
| 40 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7,7 | 33,9 | 125 |
| 40 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3,5 | 8.1 | 30.7 | 125 |
| 45 | 2,3 ± 0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8,8 | 37,9 | 125 |
| 50,8 | 2,5 ± 0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8,8 | 43.3 | 125 |
| 50,8 | 2,6-2,9 | 2200-4200 | 3,8 | 8.6 | 41,5 | 125 |
| 50,8 | 2,6-2,8 | 2600-3500 | 3.3 | 7 | 41,5 | 125 |
| 55 | 2,5 ± 0,1 | ≤2000 | 3.3 | 8,8 | 47.3 | 125 |
| 55 | 2,5-2,9 | ≤4200 | 3,8 | 8.6 | 45,7 | 125 |
| 60 | 2.6-3.0 | ≤4200 | 3,8 | 8.6 | 49,8 | 125 |
| 63,5 | 2.7-3.1 | ≤4200 | 3,8 | 8.6 | 53,4 | 125 |
| 70 | 3,0-3,4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 59,9 | 125 |
| 76 | 3,5-4,1 | ≤4800 | 5.2 | 10.1 | 65.1 | 125 |
| 89 | 4-4.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 77,7 | 125 |
| 99 | 4,5-4,8 | ≤3500 | 5.2 | 10.1 | 87,7 | 125 |
Thông số kỹ thuật:
RUNAU Electronics cung cấp chip bán dẫn công suất của thyristor điều khiển pha và thyristor chuyển mạch nhanh.
1. Giảm điện áp trạng thái thấp
2. Độ dày của lớp nhôm hơn 10 micron
3. Mesa bảo vệ hai lớp
Lời khuyên:
1. Để duy trì hiệu suất tốt hơn, chip phải được bảo quản trong điều kiện nitơ hoặc chân không để ngăn sự thay đổi điện áp do quá trình oxy hóa và độ ẩm của các miếng molypden gây ra
2. Luôn giữ bề mặt chip sạch sẽ, vui lòng đeo găng tay và không chạm vào chip bằng tay trần
3. Thao tác cẩn thận trong quá trình sử dụng.Không làm hỏng bề mặt cạnh nhựa của chip và lớp nhôm ở khu vực cực của cổng và cực âm
4. Trong thử nghiệm hoặc đóng gói, xin lưu ý rằng độ song song, độ phẳng và lực kẹp của vật cố định phải trùng khớp với các tiêu chuẩn đã chỉ định.Độ song song kém sẽ dẫn đến áp suất không đồng đều và làm hỏng phoi do lực tác động.Nếu áp dụng lực kẹp vượt quá, chip sẽ dễ bị hỏng.Nếu lực kẹp quá nhỏ, tiếp xúc kém và tản nhiệt sẽ ảnh hưởng đến ứng dụng.
5. Khối áp suất tiếp xúc với bề mặt cực âm của chip phải được ủ
Đề nghị lực lượng kẹp
| Kích thước chip | Khuyến nghị về lực kẹp |
| （KN）±10% | |
| Φ25,4 | 4 |
| Φ30 hoặc Φ30,48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 hoặc Φ40 | 15 |
| Φ50,8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63,5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |